Nel wear leveling statico vengono utilizzati tutti i blocchi per fare in modo che l’usura si distribuisca uniformemente su tutta la memoria, offrendo di fatto un netto aumento della vita del dispositivo rispetto a quanto previsto dalla tecnica del wear leveling dinamico.
Il principio di funzionamento è semplice: ogni blocco è dotato di un contatore che tiene traccia dei suoi erase count, quindi per ogni operazione di I/O viene scelto di volta in volta quello con il valore più basso.
Abbiamo visto che il wear leveling dinamico non offre un trattamento equo tra i blocchi contenenti dati statici e quelli contenenti dati dinamici; con il wear leveling statico viene introdotta invece una raffinatezza tecnica che consente di rimettere in gioco anche i blocchi che sembrerebbero destinati a una situazione di stasi.
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Nel wear leveling dinamico ogni cella di memoria è caratterizzata da un parametro denominato erase count, ovvero il numero totale di cancellazioni a cui è stata sottoposta la cella.
Tale parametro influenza la scelta delle celle da parte del controller NAND Flash per le successive operazioni di scrittura e riscrittura, in quanto vengono scelte le celle con erase count più basso.
Viene quindi da pensare che l’usura della memoria sarà appunto “livellata”, in quanto l’algoritmo di wear leveling dinamico fa crescere l’erase count in modo costante su tutte le celle utilizzate nei processi di cancellazione e scrittura.
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Prima di trattare in dettaglio i metodi di wear leveling, oggetto di questo approfondimento, è bene fare una breve premessa sui tipi di dati memorizzati in una memoria di massa.
Essi possono essere suddivisi in due categorie:
- Dati statici: informazioni aggiornate raramente per le quali si può affermare che risiederanno in determinate locazioni di memoria per l’intero ciclo vita del dispositivo. A titolo d’esempio, si possono citare la maggior parte dei file del sistema operativo e archivi di file personali come album fotografici o raccolte di file audio e video;
- Dati dinamici: file soggetti a continui cambiamenti, cancellazioni e riscritture. A tale categoria appartengono per esempio i file temporanei del sistema, cache di programmi frequentemente utilizzati, file personali di lavoro soggetti a frequenti modifiche.
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Il wear leveling è una tecnica che aiuta a ridurre il prematuro deterioramento delle celle di memoria NAND Flash ottimizzando con diversi approcci il loro sfruttamento nel tempo. La necessità di ricorrere al wear leveling è dovuta alla limitatezza dei cicli di scrittura e cancellazione delle celle di memoria NAND Flash, ormai famosissime grazie alla diffusione dei Solid State Disk.
L’uso continuativo di un numero limitato di blocchi porta quindi ad un malfunzionamento generale della memoria, dal momento che tali blocchi raggiungono il limite del loro ciclo di funzionamento prima degli altri.
L’attuazione del wear leveling è a carico del controller NAND Flash in quanto esso gestisce tutte le operazioni di I/O tra il sistema host e le celle di memoria.
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Lo sviluppo di Micron sulle memorie destinate ai notebook è giunto ad un risultato che probabilmente cancellerà un interrogativo che spesso ci si pone al momento di effettuare un acquisto: puntare alle prestazioni o al risparmio energetico?
La risposta è nella nuova linea di memorie Micron SODIMM DDR3, capaci di lavorare con un voltaggio di soli 1,35V, pari al 20% in meno rispetto ai canonici 1,5V indicati dallo standard DDR3, senza perdere nulla in quanto a prestazioni.
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La ricerca di Micron nel campo delle memorie NAND flash ha portato alla luce una nuova tecnologia, denominata e-MMC, che semplifica la gestione e l’integrazione dei supporti di memoria flash nei vari dispositivi che ne fanno uso.
La novità risiede nella combinazione di chip di memoria NAND flash con un controller MMC (MultiMediaCard) ad alta velocità in un unico package in formato low-profile BGA, con il principale vantaggio di svincolare la gestione della memoria a basso livello da parte del sistema host.
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Le voci sul tablet PC firmato Asus circolano già da un bel po’ di mesi, tuttavia solo agli inizi di giugno il produttore taiwanese ha ufficialmente presentato il nuovo Eee PC T91.
Disponibile nei colori bianco e nero, si presenta come un dispositivo decisamente votato alla portabilità: il suo spessore non supera la misura di 1″ e pesa solo 0,96 kg.
La vera novità rispetto agli altri Eee PC risiede però nello schermo rotabile, che consente al T91 di essere utilizzato come un comune netbook o come un tablet PC, grazie al supporto del pannello touchscreen da 8,9″ e alle applicazioni TouchSuite, studiate per poter trarre il massimo beneficio da tale tecnologia.
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Slitta da luglio a settembre la data di debutto prevista da Intel per la sua nuova piattaforma basata su processori Lynnfield, meglio conosciuti come Core i5, destinati al segmento desktop mainstream.
Tale famiglia di processori è destinata a prendere il posto delle attuali soluzioni basate su Core 2 Duo, ereditando parte delle novità tecniche introdotte da Intel con i processori Core i7.
Intel conta presentare inizialmente tre processori Core i5 caratterizzati da frequenze di funzionamento pari a 2,93, 2,8 e 2,66 GHz, tutti caratterizzati da un TDP pari a 95W.
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Ormai nel segmento desktop è quasi impossibile non imbattersi in sistemi audio integrati in un singolo chip installato direttamente su scheda madre, sistemi caratterizzati da costi contenuti ma anche da una qualità che potrebbe deludere gli utenti più esigenti.
I più esigenti sono quindi indirizzati verso schede audio dedicate, costruite con componenti discreti piuttosto che integrati in un unico chip, componenti che assicurano una maggiore qualità del segnale e una minore suscettibilità a disturbi e interferenze.
È il caso della nuova Asus Xonar Essence ST, una scheda audio basata su interfaccia PCI dotata di numerosi accorgimenti che le consentono di offrire una qualità audio di livello superiore, con la possibilità di pilotare fino a 7.1 canali grazie alla scheda di estensione Xonar H6.
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Nella trattazione degli argomenti inerenti all’ACPI, oggi parliamo della transizione tra due stati P: essa comporta una variazione di frequenza e di voltaggio secondo step prefissati dal costruttore, tipicamente a passi di 200MHz e piccole frazioni di Volt (0,025V-0.050V).
Ogni transizione richiede dei tempi dipendenti dalla propagazione dei segnali e dalla stabilizzazione delle tensioni dei circuiti della CPU e del generatore di clock: è chiaro che negli istanti “sprecati” per le transizioni non sarà possibile effettuare computazioni, quindi sarà necessario gestire al meglio gli eventi che le determinano, legando quindi le variazioni al carico di lavoro richiesto al sistema operativo.
Quanto appena detto non significa che ad ogni minima richiesta al sistema operativo questo passi ad uno stato più vicino a P0 altrimenti ci troveremmo ad affrontare un numero sconsiderato di transizioni.
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